國內 GaN 射頻元件廠商生存現狀分析,5G 時代是否能實現彎道超車?

2019-06-14 16:46:50 來源:EEFOCUS
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5G 對半導體材料提出了不小的挑戰。

 

更大的帶寬、更高的數據傳輸速度意味著更大的功率、更高頻率的需求,而傳統的硅半導體已經無法滿足這些需求,在 20 世紀 90 年代誕生的氮化鎵技術則以其在高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積,被射頻行業大量應用。

 

有研究機構指出,在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下,預計到 2024 年 RF GaN整體市場規模將增長至20億美元。

 

目前市場上成熟的 GaN 射頻應用基本來自美國、日本的廠商,比較出名的有美國的 Cree、Qorvo、Macom、雷神等,日本的住友、三菱等等。

 

 

氮化鎵的普及在于其高電流和高電壓性能,這使其在微波應用和功率切換上極具價值。 對于電子戰、雷達、衛星、有線電視和蜂窩式移動數據通信等高功率應用,氮化鎵是首選技術。與固態電子器件中常用的硅和砷化鎵等材料相比,氮化鎵設備可在更高電壓和更高頻率下運行。氮化鎵器件也非常高效,這使得它們在被用于高功率應用時,還可以節能。由于氮化鎵的獨特屬性,它是電路設計人員工具箱里的有力工具,尤其在設計高功率、高頻率應用時。

 

國內發展 GaN 射頻技術較晚,做相關器件的廠商也不多,下面筆者就來盤點一下國內幾大做射頻 GaN 器件的廠商。

 

蘇州能訊

蘇州能訊成立于 2007 年,是中國比較領先的 GaN 射頻功率器件的 IDM 公司。根據蘇州能訊半導體總經理任勉所述,蘇州能訊從成立到現在已經進行了三輪融資,總共投入約 10 億人民幣,其第一規模工廠(FAB1)位于蘇州昆山高新區,工廠占地 55 畝,廠房面積為 18000 平方米,經過第三輪 5 億元融資后,現有產線改造擴容結束將具備年處理 4 英寸 GaN 晶圓 5 萬片/年(約折合 2000 萬支器件)的能力。若 GaN 器件在 5G 市場部署時如期爆發,蘇州能訊未來將規劃建設 FAB2, FAB2 規劃為 6 英寸產線,資本投入將會是 FAB1的三倍以上。

 

 

蘇州能訊推出了頻率高達 6GHz、工作電壓 48/28V、輸出功率從10W-390W 的射頻器件。在移動通信方面,蘇州能訊可提供適應 4G及 5G 的高效率和高增益的射頻器件,工作頻率涵蓋 1.8-3.8GHz,工作電壓 48V,設計功率從 130W-390W,平均功率為 16W-55W。

 

上個月,蘇州能訊高能半導體有限公司 4 英寸氮化鎵芯片產線建成,該產線總投資 3 億元,設計產能為 17000 片 4 英寸氮化鎵晶圓,達產后可實現產值 20 億元,以迎接 5G 無線通信對氮化鎵射頻芯片的市場需求,打造國產射頻芯片新品牌。

 

英諾賽科

英諾賽科由海歸創業團隊成立,擁有硅基 GaN 外延生長及器件制造能力。一期項目位于珠海市國家級高新區,主要建設 8 英寸增強型硅基氮化鎵外延與器件大規模量產生產線,主要產品包括 100V650V 8 英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V 氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。2018 年,英諾賽科斥資 60 億在蘇州吳江建立生產線,產品規劃覆蓋低壓至高壓半導體功率器件和射頻器件。

 

 
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作者簡介
錢玉鋒
錢玉鋒

與非網編輯,電科專業出身。愿與大家一起分享自己對電子圈的見解,拋磚引玉,還原最真實的電子圈。

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