UnitedSiC在UF3C “FAST” FET產品系列中 新增4引腳Kelvin器件

2019-06-21 07:22:00 來源:EEFOCUS
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2019年6月20日,美國新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導體企業美商聯合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布進一步擴展UF3C FAST產品系列,新增采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense分立封裝選項的1200V高性能SiC FET器件。新產品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型導通電阻(RDS(on)),使4引腳FAST系列器件的總數達到6個,并將整個系列的導通電阻范圍從30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。
 
UF3C120150K4S的最高工作溫度達175℃,具有出色的反向恢復、低柵極電荷和低固有電容。與標準的3引腳TO-247產品相比,具備ESD保護的HBM 2級TO-247-4L封裝可提供更快的開關速度和更清晰的柵極波形。 4引腳Kelvin封裝能夠避免柵極振鈴和誤觸發,這些通常需要限制開關速度以管理3引腳封裝的較大共源電感。UF3C120150K4S器件非常適用于電動汽車(EV)充電、光伏逆變器、開關模式電源、功率因數校正(PFC)模塊、電機驅動和感應加熱(induction heating)等應用。
 
UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列現在共有13種器件,分別采用TO-247-3L和TO-247-4L封裝,具有1200V和650V選項。該產品系列基于高效的“共源共柵”配置,能夠以高功率密度封裝提供非常快速的開關,實現高功率器件解決方案。4端子Kelvin封裝可提供簡單的螺釘或夾具安裝,具有極低的結到殼(junction-to-case)熱阻,能夠充分利用SiC的高結溫能力。
 
UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET產品系列的獨特之處在于其真正的“直接替代”功能。設計人員可以通過用UnitedSiC FET替代現有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結器件,并能夠顯著提高系統性能,而無需改變柵極驅動電壓。
 
欲獲取更多的數據手冊信息,請訪問:https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 還可提供SiC FET用戶指南,其中重點介紹使用RC緩沖器和快速開關SiC器件的實用解決方案和應用指南,請訪問:https://bit.ly/2wKNLhs。 
 
價格和供貨信息
以1000片最小批量計,UF3C120150K4S單價為6.14美元。貿澤電子(Mouser)和其他當地分銷商可提供庫存。
 
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