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產品介紹

Infineon Technologies CoolGaN?氮化鎵HEMT

制造商:Infineon Technologies

Infineon CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優勢,包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術,設計用于實現開關模式電源中的超高效率和功率密度。這些器件的工作方式類似于采用p-GaN柵極結構以及增強模式柵極驅動偏置的傳統硅MOSFET。

Infineon CoolGaN質量出眾,非常適合用于硬開關和軟開關拓撲結構。CoolGaN支持針對PFC來調整更簡單的半橋拓撲,包括消除有損輸入橋式整流器。CoolGaN HEMT可為功率半導體器件提供更高的臨界電場,從而實現出色的高速開關。

產品規格
產品屬性 屬性值 產品屬性 屬性值
制造商 Infineon 配置 Single
產品種類 MOSFET 通道模式 Enhancement
技術 GaN 商標名 CoolGaN
安裝風格 SMD/SMT 封裝 Cut Tape
封裝 / 箱體 PG-LSON-8 封裝 Reel
通道數量 1 Channel 晶體管類型 1 N-Channel
晶體管極性 N-Channel 商標 Infineon Technologies
Vds-漏源極擊穿電壓 600 V 下降時間 13 ns
Id-連續漏極電流 15 A HTS Code 8541290095
Rds On-漏源導通電阻 70 mOhms 產品類型 MOSFET
Vgs th-柵源極閾值電壓 0.9 V 上升時間 9 ns
Vgs - 柵極-源極電壓 10 V 工廠包裝數量 3000
Qg-柵極電荷 5.8 nC 子類別 MOSFETs
最小工作溫度 - 55 C 典型關閉延遲時間 15 ns
最大工作溫度 + 150 C 典型接通延遲時間 15 ns
Pd-功率耗散 114 W 零件號別名 SP001705420
產品特性
600V功率器件的品質因數
非常適合用于硬開關和軟開關拓撲
功率密度可提高三倍
經過優化的開啟和關閉模式
面向創新解決方案和大容量的技術
SMPS的超高效率
表面貼裝封裝可確保完全訪問GaN的開關能力
各種驅動器IC產品組合,簡單易用
系統框圖
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